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在痕量分析中，超純水系統(tǒng)所制備的超純水質(zhì)量對分析結(jié)果起著舉足輕重的影響。
20世紀50年代初期，電子學中半導體材料崛起，觀察到半導體的電性能與雜質(zhì)含量有關(guān)。由于重金屬雜質(zhì)具有電活性，嚴重降低單晶硅中載流子壽命，所以其含量需在1ng/g或0.1ng/g以下，測定雜質(zhì)含量在10-6%—10-8%或更低。半導體材料使人們認識到痕量元素在超純材料中的重要性，從而開辟了痕量分析的新時代。
在進行痕量分析時，為了達到最好的量化指標，兩個參數(shù)至關(guān)重要：實驗的環(huán)境以及稀釋標準液和洗滌玻璃器皿的超純水。目前，最常使用的超純水機在生產(chǎn)超純水過程中，電阻率測量以及可溶性硅、硼是評價樹脂效率最關(guān)鍵的參數(shù)。
用于痕量分析用水的超純水機包含一系列純化系統(tǒng)，主要由預處理單元、RO反滲透單元以及后置純化單元組成。和泰超純水機以自來水為進水水源，每小時的產(chǎn)水達到15升，且產(chǎn)出的超純水指標為：電阻率為18.2MΩ.cm@25℃ ；TOC<3ppb；重金屬離子＜0.1ppb；微生物/細菌＜1CFU/ml；熱源/內(nèi)毒素＜0.001EU/ml；顆粒物（＞0.22um）＜1/ml，其產(chǎn)出的超純水系統(tǒng)適用于痕量分析之中。
超純水機能夠有效的去除水中的硼、硅離子在內(nèi)的所有粒子，顯示出了較高的離子截留率和穩(wěn)定性。在最后的水純化單元，超純水機通過使用特殊設(shè)計的硼去除純化柱可以降低早期的硼穿透現(xiàn)象。這些技術(shù)的結(jié)合保證達到適合于ppt級、次ppt級痕量分析對超純水機生產(chǎn)的超純水的要求。
